絕緣材料的介電常數(shù)測(cè)試儀廠家，橡膠塑料的介電常數(shù)測(cè)試儀價(jià)格

GBT 1409-2006
ZJD-B數(shù)字式介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試儀

 儀器介紹
     ZJD-B全數(shù)字顯示介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試儀是根據(jù)GB/T 1409《測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻（包括米波波長(zhǎng)在內(nèi)）下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的試驗(yàn)方法》（等效采用IEC 60250）設(shè)計(jì)和制造的，并符合JB 7770

等試驗(yàn)方法。它適用于在高頻（1MHz）下絕緣材料的測(cè)試。
    ZJD-B數(shù)字式介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試儀讀書(shū)清晰,無(wú)須換算,操作簡(jiǎn)便,特別適合電子元器件的質(zhì)量分析,品質(zhì)控制,科研生產(chǎn),也可用于高校的電子信息,電子通信,材料科學(xué)等專(zhuān)業(yè)作科研實(shí)驗(yàn)儀器.
技術(shù)參數(shù)
信號(hào)源頻率范圍    DDS數(shù)字合成 10KHz-60MHz    Q測(cè)量范圍    1-1000自動(dòng)/手動(dòng)量程
信號(hào)源頻率覆蓋比    6000:1    Q分辨率    4位有效數(shù),分辨率0.1
信號(hào)源頻率精度    3X10 -5 ±1個(gè)字,6位有效數(shù)    Q測(cè)量工作誤差    <5%
電感測(cè)量范圍    15nH-8.4H,4位有效數(shù),分辨率0.1nH    調(diào)諧電容    主電容30-500PF
電感測(cè)量誤差    <5%    調(diào)諧電容誤差和分辨率    ±1.5P或<1%
標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量頻點(diǎn)    全波段任意頻率下均可測(cè)試    Q合格預(yù)置范圍    5-1000聲光提示
諧振點(diǎn)搜索    自動(dòng)掃描    Q量程切換    自動(dòng)/手動(dòng)
諧振指針    LCD顯示    LCD顯示參數(shù)    F,L,C,Q,波段等
 
 絕緣材料的介電常數(shù)測(cè)試儀廠家，橡膠塑料的介電常數(shù)測(cè)試儀價(jià)格

介質(zhì)在外加電場(chǎng)時(shí)會(huì)產(chǎn)生感應(yīng)電荷而削弱電場(chǎng)，在相同的原電場(chǎng)中某一介質(zhì)中的電容率與真空中的電容率的比值即為相對(duì)介電常數(shù)(relative permittivity)，又稱(chēng)相對(duì)電容率，以ε_r表示。如果有高介電常數(shù)的材料放在電場(chǎng)中，場(chǎng)的強(qiáng)度會(huì)在電介質(zhì)內(nèi)有可觀的下降。介電常數(shù)（又稱(chēng)電容率），以ε表示，ε=εr*ε0，ε0為真空介電常數(shù)，ε0=8.85*10-12,F/m。需要強(qiáng)調(diào)的是，一種材料的介電常數(shù)值與測(cè)試的頻率密切相關(guān)。

一個(gè)電容板中充入介電常數(shù)為ε的物質(zhì)后電容變大ε倍。

介電常數(shù)

電介質(zhì)有使空間比起實(shí)際尺寸變得更大或更小的屬性。例如，當(dāng)一個(gè)電介質(zhì)材料放在兩個(gè)電荷之間，它會(huì)減少作用在它們之間的力，就像它們被移遠(yuǎn)了一樣。

當(dāng)電磁波穿過(guò)電介質(zhì)，波的速度被減小，有更短的波長(zhǎng)。

根據(jù)物質(zhì)的介電常數(shù)可以判別高分子材料的極性大小。通常，介電常數(shù)大于3.6的物質(zhì)為極性物質(zhì)；介電常數(shù)在2.8~3.6范圍內(nèi)的物質(zhì)為弱極性物質(zhì)；介電常數(shù)小于2.8為非極

絕緣材料的介電常數(shù)測(cè)試儀廠家，橡膠塑料的介電常數(shù)測(cè)試儀價(jià)格
GBT 1409-2006
ZJD-C介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試儀

儀器介紹
    ZJD-C介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試儀是根據(jù)GB/T 1409《測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻（包括米波波長(zhǎng)在內(nèi)）下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的試驗(yàn)方法》（等效采用IEC 60250）設(shè)計(jì)和制造的，并符合JB 7770等試驗(yàn)方法

。它適用于在高頻（1MHz）下絕緣材料的測(cè)試。
技術(shù)參數(shù)
ZJD-C介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試儀作為一代的通用、多用途、多量程的阻抗測(cè)試儀器，測(cè)試頻率上限達(dá)到目前高的160MHz。 ZJD-C介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試儀采用了多項(xiàng)技術(shù)：
1雙掃描技術(shù) - 測(cè)試頻率和調(diào)諧電容的雙掃描、自動(dòng)調(diào)諧搜索功能。
2雙測(cè)試要素輸入 - 測(cè)試頻率及調(diào)諧電容值皆可通過(guò)數(shù)字按鍵輸入。
3雙數(shù)碼化調(diào)諧 - 數(shù)碼化頻率調(diào)諧，數(shù)碼化電容調(diào)諧。
4自動(dòng)化測(cè)量技術(shù) -對(duì)測(cè)試件實(shí)施 Q 值、諧振點(diǎn)頻率和電容的自動(dòng)測(cè)量。
5全參數(shù)液晶顯示 – 數(shù)字顯示主調(diào)電容、電感、 Q 值、信號(hào)源頻率、諧振指針。
6DDS 數(shù)字直接合成的信號(hào)源 -確保信源的高葆真，頻率的高精確、幅度的高穩(wěn)定。
7計(jì)算機(jī)自動(dòng)修正技術(shù)和測(cè)試回路*化 —使測(cè)試回路 殘余電感減至zui低，** Q 讀數(shù)值在不同頻率時(shí)要加以修正的困惑。
ZJD-C介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試儀的創(chuàng)新設(shè)計(jì)，無(wú)疑為高頻元器件的阻抗測(cè)量提供了*的解決方案，它給從事高頻電子設(shè)計(jì)的工程師、科研人員、高校實(shí)驗(yàn)室和電子制造業(yè)提供了更為方便的檢測(cè)工具，測(cè)量值更為精確，

測(cè)量效率更高。使用者能在儀器給出的任何頻率、任意點(diǎn)調(diào)諧電容值下檢測(cè)器件的品質(zhì)，無(wú)須關(guān)注量程和換算單位。
     主要技術(shù)特性
Q 值測(cè)量范圍    2 ～ 1023 ， 量程分檔： 30 、 100 、 300 、 1000 ，自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔
固有誤差    ≤ 5 ％ ± 滿(mǎn)度值的 2 ％（ 200kHz ～ 10MHz ）， ≤6％ ± 滿(mǎn)度值的2％（10MHz～160MHz）
工作誤差    ≤7％ ± 滿(mǎn)度值的2％ （ 200kHz ～ 10MHz ）， ≤8％ ± 滿(mǎn)度值的2％（10MHz～160MHz）
電感測(cè)量范圍    4.5nH ～ 140mH
電容直接測(cè)量范圍    1 ～ 200pF
主電容調(diào)節(jié)范圍    18 ～ 220pF
主電容調(diào)節(jié)準(zhǔn)確度    120pF 以下 ± 1.2pF ； 120pF 以上 ± 1 ％
信號(hào)源頻率覆蓋范圍    100kHz ～ 160MHz
頻率分段 （ 虛擬 ）    100 ～ 999.999kHz ， 1 ～ 9.99999MHz,10 ～ 99.9999MHz ， 100 ～ 160MHz
頻率指示誤差    3 × 10 -5 ± 1 個(gè)字

絕緣材料的介電常數(shù)測(cè)試儀廠家，橡膠塑料的介電常數(shù)測(cè)試儀價(jià)格

近十年來(lái)，半導(dǎo)體工業(yè)界對(duì)低介電常數(shù)材料的研究日益增多，材料的種類(lèi)也五花八門(mén)。然而這些低介電常數(shù)材料能夠在集成電路生產(chǎn)工藝中應(yīng)用的速度卻遠(yuǎn)沒(méi)有人們想象的那么快。其主要

低介電常數(shù)薄膜機(jī)械性質(zhì)量測(cè)結(jié)果

原因是許多低介電常數(shù)材料并不能滿(mǎn)足集成電路工藝應(yīng)用的要求。圖2是不同時(shí)期半導(dǎo)體工業(yè)界預(yù)計(jì)低介電常數(shù)材料在集成電路工藝中應(yīng)用的前景預(yù)測(cè)。

早在1997年，人們就認(rèn)為在2003年，集成電路工藝中將使用的絕緣材料的介電常數(shù)（k值）將達(dá)到1.5。然而隨著時(shí)間的推移，這種樂(lè)觀的估計(jì)被不斷更新。到2003年，半導(dǎo)體技術(shù)規(guī)劃（ITRS 2003[7]）給出低介電常數(shù)材料在集成電路未來(lái)幾年的應(yīng)用，其介電常數(shù)范圍已經(jīng)變成2.7~3.1。

造成人們的預(yù)計(jì)與現(xiàn)實(shí)如此大差異的原因是，在集成電路工藝中，低介電常數(shù)材料必須滿(mǎn)足諸多條件，例如：足夠的機(jī)械強(qiáng)度（MECHANICAL strength）以支撐多層連線的架構(gòu)、高楊氏系數(shù)（Young's modulus）、高擊穿電壓（breakdown voltage>4MV/cm)、低漏電(leakage current<10-9 at 1MV/cm)、高熱穩(wěn)定性（thermal stability >450oC)、良好的粘合強(qiáng)度(adhesion strength)、低吸水性（low moisture uptake）、低薄膜應(yīng)力（low film stress）、高平坦化能力（planarization）、低熱漲系數(shù)（coefficient of thermal expansion）以及與化學(xué)機(jī)械拋光工藝的兼容性（compatibility with CMP process）等等。能夠滿(mǎn)足上述特性的*的低介電常數(shù)材料并不容易獲得。例如，薄膜的介電常數(shù)與熱傳導(dǎo)系數(shù)往往就呈反比關(guān)系。因此，低介電常數(shù)材料本身的特性就直接影響到工藝集成的難易度。

目前在超大規(guī)模集成電路制造商中，TSMC、 Motorola、AMD以及NEC等許多公司為了開(kāi)發(fā)90nm及其以下技術(shù)的研究，先后選用了應(yīng)用材料公司（Applied Materials）的Black Diamond 作為低介電常數(shù)材料。該材料采用PE-CVD技術(shù)[8] ，與現(xiàn)有集成電路生產(chǎn)工藝*融合，并且引入BLOk薄膜作為低介電常數(shù)材料與金屬間的隔離層，很好的解決了上述提及的諸多問(wèn)題，是目前已經(jīng)用于集成電路商業(yè)化生產(chǎn)為數(shù)不多的低介電常數(shù)材料之一。

絕緣材料的介電常數(shù)測(cè)試儀廠家，橡膠塑料的介電常數(shù)測(cè)試儀價(jià)格

QS37介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試儀GB/T1693-2007
1.概  述                                                            
     介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試儀GB/T1693-2007?主要用于測(cè)量高壓工業(yè)絕緣材料的介質(zhì)損耗角的正切值及電容量。其采用了西林電橋的經(jīng)典線路。主要可以測(cè)量電容器，互感器，變壓器，各種電工油及各種固體絕緣材料在工頻高壓下的介質(zhì)損耗( tgd)和電容量( Cx)以，其測(cè)量線路采用“正接法"即測(cè)量對(duì)地絕緣的試品。電橋由橋體、指另儀、跟蹤器組成，本電橋特別適應(yīng)測(cè)量各類(lèi)絕緣油和絕緣材料的介損（tgd）及介電常數(shù)（ε）。
2.技術(shù)指標(biāo)
2.1  測(cè)量范圍及誤差
    本電橋的環(huán)境溫度為20±5℃，相對(duì)濕度為30％－80％條件下，應(yīng)滿(mǎn)足下列表中的技術(shù)指示要求。    
在Cn＝100pF    R4＝3183.2    即10K/π時(shí)
測(cè)量項(xiàng)目    測(cè)量范圍    測(cè)量誤差
電容量Cx    40pF--20000pF    ±0.5%  Cx±2pF
介質(zhì)損耗tg    0～1    ±1.5％tgx±0.0001
在Cn＝100pF    R4＝318.3    即1K/π時(shí)
測(cè)量項(xiàng)目    測(cè)量范圍    測(cè)量誤差
電容量Cx    4pF--2000pF    ±0.5%  Cx±3pF
介質(zhì)損耗tg    0～0.1    ±1.5％tgx±0.0001
2.2  電橋測(cè)量靈敏度
    電橋在使用過(guò)程中，靈敏度直接影響電橋平衡的分辨程度，為保證測(cè)量準(zhǔn)確度，希望電橋靈敏度達(dá)到一定的水平。通常情況下電橋靈敏度與測(cè)量電壓，標(biāo)準(zhǔn)電容量成正比。
    在下面的計(jì)算公式中，用戶(hù)可根據(jù)實(shí)際使用情況估算出電橋靈敏度水平，在這個(gè)水平上的電容與介質(zhì)損耗因數(shù)的微小變化都能夠反應(yīng)出來(lái)。
          DC/C或Dtgd=Ig/UwCn(1+Rg/R4+Cn/Cx)   式中：Ｕ為測(cè)量電壓    伏特（Ｖ）
ω為角頻率 2pf=314(50Hz)                                     
Ｃｎ標(biāo)準(zhǔn)電容器容量    皮法（pＦ）
Ｉｇ通用指另儀的電流5X10-10    安培（Ａ）
Ｒｇ平衡指另儀內(nèi)阻約1500    歐姆
Ｒ４橋臂R4電阻值3183    歐姆
Ｃｘ被測(cè)試品電容值    皮法（ｐF）
2.3 電容量及介損顯示精度：    
電容量    ±0.5%×tgδx±0.0001
介  損    ±0.5％tgx±1×10-4
2.4 輔橋的技術(shù)特性：    
工作電壓    ±12V，50Hz
輸入阻抗    1012
輸出阻抗    0.6
放大倍數(shù)    0.99
不失真跟蹤電壓    0～12V（有效值）
2.5 指另裝置的技術(shù)特性：
    工作電壓±12V
    在50Hz時(shí)電壓靈敏度不低于1X10-6V／格， 電流靈敏度不低于2X10-9A／格
    二次諧波  減不小于25db
    三次諧波  減不小于50db

絕緣材料的介電常數(shù)測(cè)試儀廠家，橡膠塑料的介電常數(shù)測(cè)試儀價(jià)格

"介電常數(shù)" 在工具書(shū)中的解釋?zhuān)?/span>

1．又稱(chēng)電容率或相對(duì)電容率，表征電介質(zhì)或絕緣材料電性能的一個(gè)重要數(shù)據(jù)，常用ε表示。它是指在同一電容器中用同一物質(zhì)為電介質(zhì)和真空時(shí)的電容的比值，表示電介質(zhì)在電場(chǎng)中貯存靜電能的相對(duì)能力。對(duì)于介電材料，介電常數(shù)愈大絕緣性愈好?？諝夂虲S2的ε值分別為1.0006和2.6左右，而水的ε值特別大，10℃時(shí)為 83.83，與溫度有關(guān)。

2．介電常數(shù)是物質(zhì)相對(duì)于真空來(lái)說(shuō)增加電容器電容能力的度量。介電常數(shù)隨分子偶極矩和可極化性的增大而增大。在化學(xué)中，介電常數(shù)是溶劑的一個(gè)重要性質(zhì)，它表征溶劑對(duì)溶質(zhì)分子溶劑化以及隔開(kāi)離子的能力。介電常數(shù)大的溶劑，有較大隔開(kāi)離子的能力，同時(shí)也具有較強(qiáng)的溶劑化能力。介電常數(shù)用ε表示，一些常用溶劑的介電常數(shù)見(jiàn)下表：

"介電常數(shù)" 在學(xué)術(shù)文獻(xiàn)中的解釋?zhuān)?/span>

1．介電常數(shù)是指物質(zhì)保持電荷的能力，損耗因數(shù)是指由于物質(zhì)的分散程度使能量損失的大小。理想的物質(zhì)的兩項(xiàng)參數(shù)值較小

文獻(xiàn)來(lái)源

介電常數(shù)與頻率變化的關(guān)系

2.其介質(zhì)常數(shù)具有復(fù)數(shù)形式，實(shí)數(shù)部分稱(chēng)為介電常數(shù)，虛數(shù)部分稱(chēng)為損耗因子.通常用損耗正切值(損耗因子與介電常數(shù)之比)來(lái)表示材料與微波的耦合能力，損耗正切值越大，材料與微波的耦合能力就越強(qiáng)

3．介電常數(shù)是指在同一電容器中用某一物質(zhì)為電介質(zhì)與該物質(zhì)在真空中的電容的比值.在高頻線路中信號(hào)傳播速度的公式如下：V=K

4.為簡(jiǎn)單起見(jiàn)，后面將相對(duì)介電常數(shù)均稱(chēng)為介電常數(shù).反射脈沖信號(hào)的強(qiáng)度，與界面的波反射系數(shù)和透射波的衰減系數(shù)有關(guān)，主要取決于周?chē)橘|(zhì)與反射體的電導(dǎo)率和介電常