介質(zhì)損耗的表征方法
有關(guān)介質(zhì)的損耗描述方法有多種,哪一種描述方法比較方便,需根據(jù)用途而定。
損耗角正切 | tg? | 介質(zhì)損耗大小 |
損耗因子 | ?tg? | 作為絕緣材料的選擇依據(jù) |
品質(zhì)因素 | Q=1/tg? | 應(yīng)用于高頻 |
損耗功率 | p | 功率的計(jì)算 |
等效電導(dǎo)率 | ?=???? | 電介質(zhì)發(fā)熱 |
復(fù)介電常數(shù)的復(fù)項(xiàng) | ??? | 研究材料的功率、發(fā)熱 |
1、介質(zhì)損耗角δ
在交變電場作用下,電介質(zhì)內(nèi)流過的電流相量和電壓相量之間的夾角(功率因數(shù)角Φ)的余角(δ)。 簡稱介損角
2、介質(zhì)損耗正切值tgδ
又稱介質(zhì)損耗因數(shù),是指介質(zhì)損耗角正切值,簡稱介損角正切。介質(zhì)損耗因數(shù)的定義如下
這正是損失角δ=(90°-Φ)的正切值。因此現(xiàn)在的數(shù)字化儀器從本質(zhì)上講,是通過測量δ或者Φ得到介損因數(shù)。
損耗角正切:
復(fù)介電常數(shù)
1)復(fù)介電常數(shù)的含義
電極化的基本過程有三:
①原子核外電子云的畸變極化;
②分子中正、負(fù)離子的(相對)位移極化;
③分子固有電矩的轉(zhuǎn)向極化。
在外界電場作用下,介質(zhì)的介電常數(shù) ε是綜合地反映這三種微觀過程的宏觀物理量;它是頻率 ω的函數(shù)ε(ω)。
低頻極化
只當(dāng)頻率為零或頻率很低(例如1千赫)時,三種微觀過程都參與作用,這時的介電常數(shù)ε(0)對于一定的電介質(zhì)而言是個常數(shù),通稱為介電常數(shù),這也就是靜電介電常數(shù)εs或低頻介電常數(shù)。
中頻極化
隨著頻率的增加,分子固有電矩的轉(zhuǎn)向極化逐漸落后于外場的變化,這時,介電常數(shù)取復(fù)數(shù)形式ε(ω)=ε′(ω)-jε″(ω),其中虛部ε″(ω)代表介質(zhì)損耗;它是由于電極化過程追隨不上外場的變化而引起的。
實(shí)部隨著·頻率的增加而顯著下降,虛部出現(xiàn)峰值。
高頻極化
頻率再增加,實(shí)部ε′(ω)降至新值,虛部ε″(ω)變?yōu)榱?,這表示分子固有電矩的轉(zhuǎn)向極化已不能響應(yīng)了。
當(dāng)頻率進(jìn)入到紅外區(qū),分子中正、負(fù)離子電矩的振動頻率與外場發(fā)生共振時,實(shí)部ε′(ω)先突然增加,隨即陡然下降,ε″(ω)又出現(xiàn)峰值;
過此以后,正、負(fù)離子的位移極化亦不起作用了。
2)漏導(dǎo)復(fù)介電常數(shù):
復(fù)介電常數(shù):
損耗角正切
ε’和ε"是依賴于頻率的量
介質(zhì)的損耗由復(fù)介電常數(shù)的虛部???引起,通常電容電流由實(shí)部??引起,相當(dāng)于實(shí)際測得介電常數(shù)。
2)極化損耗的復(fù)介電常數(shù)
交變電場作用下的P(t)為:
A.極化損耗復(fù)介電常數(shù)
B.極化損耗復(fù)介電常數(shù)含義:
D.復(fù)介電常數(shù)的德拜表達(dá)式
其中: ?(0) -----低或靜態(tài)的相對介電常數(shù)
?? ------ ???時的相對介電常數(shù)
4、介質(zhì)損耗功率
1)直流電壓下 PW=IU=GU2 G為介質(zhì)的電導(dǎo),單位為西門子(S)。
定義單位體積的介質(zhì)損耗為介質(zhì)損耗功率p,
V為介質(zhì)體積,σ為純自由電荷產(chǎn)生的電導(dǎo)率(S/m)。
在一定的直流電場下,介質(zhì)損耗率取決于材料的電導(dǎo)率
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